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G1M080120N TO-247-4L
泰科天（tiān）潤碳化矽MOSFET產品
碳化（huà）矽MOS優勢
· 更高（gāo）工（gōng）作（zuò）頻率
· 更高功（gōng）率密度
· 最高效率減少（shǎo）冷（lěng）卻工（gōng）作
· 降低（dī）係統和運（yùn）營成本
產品（pǐn）優點
• 提升（shēng）效率
• 提高功率密度
• 降低（dī）散熱要求（qiú）
• 降低（dī）係統成（chéng）本
應用（yòng）領域
• 光（guāng）伏逆變器
• 電動汽車充電樁
• 開關電源（yuán）
• 電機（jī）驅動
• 不間斷電源
G1M080120N TO-247-4L
泰科（kē）天潤碳（tàn）化矽MOSFET產品
碳化矽MOS優勢
· 更（gèng）高（gāo）工作（zuò）頻率
· 更（gèng）高功率密度
· 最高效（xiào）率減少（shǎo）冷卻工作
· 降低係統和運營成本
產品（pǐn）優點
• 提升效（xiào）率
• 提高功率密度
• 降低（dī）散熱要求
• 降低係統成本（běn）
應用領域
• 光（guāng）伏逆變器
• 電動汽車充電樁
• 開關電源
• 電機驅動
• 不（bù）間斷電源
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網（wǎng）址：www.51shubizi.com
總公（gōng）司（sī）地（dì）址:廣東省東莞市（shì）萬江（jiāng）街道華爾泰路2號五（wǔ）盈科技（jì）園5棟3層
經（jīng）營產（chǎn）品（pǐn）：碳（tàn）化矽器件、IGBT單管（guǎn）、IGBT模塊（kuài）、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結（jié）MOS
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