綠（lǜ）星MOS DG100N02Q DFN5*6

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采用（yòng）第三代DG-FET製程，DG-FET係列（liè）具有（yǒu）高速開（kāi）關速度，業（yè）界優異的（de）Ron-Crss表現。

由（yóu）於具有緩衝效應，DG-FET係列（liè）可以抑製，比SuperTrench係列（liè）更（gèng）有（yǒu）效地（dì）切（qiē）換噪音和（hé）振鈴。

RDS（on）導通電阻（zǔ）比其他同（tóng）類元件（jiàn）至少（shǎo）降低（dī）50%，閘電荷（Qg）比（bǐ）其他裝置少（shǎo）50%

20V至250V規（guī）格，可在（zài）各式（shì）電源與電機（jī）驅動中（zhōng）實（shí）現更高效率。

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采用（yòng）第三代DG-FET製程，DG-FET係列（liè）具（jù）有（yǒu）高（gāo）速開（kāi）關速度，業界優異的Ron-Crss表現（xiàn）。

由於具（jù）有緩衝效應，DG-FET係列可以抑製，比（bǐ）SuperTrench係列更有（yǒu）效地（dì）切換噪音和（hé）振鈴。

RDS（on）導通電阻比其他同（tóng）類元件至少降低50%，閘電荷（Qg）比其（qí）他（tā）裝置少（shǎo）50%

20V至（zhì）250V規格，可在各（gè）式電源（yuán）與電機驅動中實現更（gèng）高效率。

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名稱：綠星MOS DG100N02Q DFN5*6