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30V低壓MOS 綠星SG30N04E DFN3*3
顛覆業界傳（chuán）統的低壓MOS製程，大幅降低RDS內阻切換損失（shī）。
台灣綠星低（dī）壓MOS產品融入DG-FET深溝槽創新技術，將內阻（zǔ）值死磕到（dào）底，肉眼可見的出類拔萃。
美瑞電子致力於推動品質專線邁入普惠時代（dài），帶入千行（xíng）百業（yè）。
台灣綠（lǜ）星電子創立於 2002 年5月，專注於功率半導體（tǐ）元件設計與銷售。主（zhǔ）要應用領域為：電機驅動控（kòng）製、電池管理（lǐ）係統、電動工具（jù）、花（huā）園工具、大型（xíng）儲能裝置、工業直流馬達控製、高功（gōng）率密度電源模組以及各式（shì）消費性電子產品（pǐn）。2017年全（quán）新（xīn）世代（dài） DG -FET™ 金屬氧 半場（chǎng）效電晶體正（zhèng）式（shì）發（fā）表（biǎo）。
30V低壓MOS 綠星SG30N04E DFN3*3
顛覆業界傳（chuán）統的（de）低壓MOS製程，大（dà）幅降低RDS內阻切（qiē）換損失。
台灣綠星低壓MOS產品（pǐn）融入DG-FET深溝槽創（chuàng）新技術，將內阻值死磕到（dào）底，肉（ròu）眼可見的出類拔（bá）萃。
美瑞電子（zǐ）致力（lì）於推動品質專線邁入（rù）普惠時代（dài），帶入千（qiān）行百業（yè）。
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
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