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80V低內阻（zǔ）MOS 綠（lǜ）星DG80N02HQ DFN5*6
顛覆業（yè）界傳統的低（dī）壓MOS製程，大（dà）幅降低RDS內阻（zǔ）切換損失（shī）。
台灣綠星低壓MOS產品融（róng）入DG-FET深溝槽創（chuàng）新技術，將內阻值死磕到底，肉（ròu）眼可見的（de）出（chū）類拔（bá）萃。
美瑞電子（zǐ）致力（lì）於推動品（pǐn）質專線邁入普惠時代，帶入千（qiān）行百（bǎi）業（yè）。
80V低內阻MOS 綠星DG80N02HQ DFN5*6
顛覆業界傳統的低（dī）壓MOS製程，大幅降低RDS內阻（zǔ）切（qiē）換損失。
台（tái）灣綠星低（dī）壓MOS產（chǎn）品（pǐn）融入DG-FET深溝槽創新（xīn）技（jì）術，將內阻（zǔ）值死（sǐ）磕到（dào）底，肉眼可見的出類拔（bá）萃。
美瑞電子致力於推動品質專線邁入普惠時代，帶入千行百業。
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