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120V低內阻（zǔ）MOS 綠星DG120N01S
顛覆業（yè）界傳統的低（dī）壓MOS製程，大（dà）幅降低（dī）RDS內阻切（qiē）換損失（shī）。
台灣綠星低壓MOS產品（pǐn）融入DG-FET深溝槽創新技術，將內阻值死磕到底，肉眼可（kě）見的出類拔（bá）萃。
美瑞電子（zǐ）致力於推動品（pǐn）質（zhì）專（zhuān）線邁入普惠時代（dài），帶入千行（xíng）百（bǎi）業。
120V低內阻（zǔ）MOS 綠星DG120N01S
顛覆業（yè）界傳統的（de）低壓MOS製程，大幅降低（dī）RDS內阻切換損失。
台（tái）灣綠星低壓MOS產（chǎn）品（pǐn）融入DG-FET深溝槽創新（xīn）技（jì）術，將內阻值死磕到（dào）底，肉眼可見的出類拔（bá）萃。
美瑞電子（zǐ）致力（lì）於推動品（pǐn）質專（zhuān）線邁入普惠時代（dài），帶入千（qiān）行百（bǎi）業。
Tel: +86-769-21665206
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