導語：綠（lǜ）星電子（zǐ）的（de）功（gōng）率元件可在各（gè）式電源與電機（jī）驅動應用（yòng）中實（shí）現更高的（de）效率，功率密度和成（chéng）本（běn）效（xiào）益。 DG-FET™和（hé）SuperTrench™產（chǎn）品組（zǔ）合涵蓋20V至（zhì）200V規格，可同（tóng）時解決低開（kāi）關頻率和（hé）高開關頻率問題。

DG-FET™介（jiè）紹

現代（dài）科（kē）技對運算功率的（de）需求（qiú）日益增高（gāo），雲端運（yùn）算、物（wù）聯網（wǎng）及社（shè）交媒體等主流趨勢，更（gèng）是發揮了推波助瀾的作用（yòng）。能源（yuán）消耗量因此大增，電源轉換鏈也因（yīn）此（cǐ）需要更高（gāo）的能（néng）源效率。

與傳（chuán）統溝槽式MOS比較:

顛覆傳（chuán）統MOSFET技術的DG-FET™是利（lì）用（yòng）額外的多晶矽閘來達成電荷平（píng）衡。藉由（yóu）電荷平衡的（de）方式，將致使原本（běn）MOSFET的空乏區電 場由一（yī）維電荷變為由（yóu）二維的電荷分布所決定。

因此（cǐ）其崩潰電壓將較傳（chuán）統的（de）溝槽式MOSFET為高（gāo）。

若（ruò）將DG-FET™與現今傳統的（de）溝槽式（shì）MOSFET相比（bǐ），為具有相同崩潰電壓之元件（jiàn），但（dàn）DG-FET™可（kě）以（yǐ）進一步降低磊晶層的（de）阻值（zhí），因而可以獲得較低的導通阻抗.

另外，由（yóu）於開關雜訊更低，因此采用（yòng）DG-FET™技（jì）術也能（néng）有效大幅降低汲級電荷。

Silicongear DG-FET™與友商公司Trench關鍵參數（shù）MOSFET摘要

1 - MOSFET Gate 加2.2nF 測試啟機狀態次級驅動電壓：

總結：綠星MOSFET,DG-FET係列具（jù）有高（gāo）速開（kāi）關速度，業（yè）界優異的（de）Ron-Crss表（biǎo）現（xiàn）。

由（yóu）於具有緩衝效應，DG-FET係列（liè）可（kě）以抑製，比SuperTrench係列更有（yǒu）效地切換噪音和振鈴。RDS（on）導通電阻比（bǐ）其他同類元件至少（shǎo）降低（dī）50%，閘電荷（Qg）比其他裝置少50%。

DG-FET™和SuperTrench™產（chǎn）品（pǐn）組合涵蓋20V至200V規（guī）格，可（kě）同時解決低開關頻率和（hé）高開（kāi）關頻率問題。