肖特基（jī）二（èr）極管是以（yǐ）其（qí）發明人肖特基博士命名（míng）的（de），SBD是肖特基（jī）勢壘管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的（de）簡稱。SBD不（bù）是利用（yòng）P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理製作的（de），而是利用金（jīn）屬與半導體接觸形成的（de）金屬－半導體結原理製作的。那麽下（xià）來帶大家了解一（yī）下肖特基（jī）二（èr）極管的原理。

　　肖特基（jī）二（èr）極管是貴金屬（金（jīn）、銀、鋁、鉑等）A為正（zhèng）極，以N型半導體B為負極，利用（yòng）兩者（zhě）接觸麵上形成（chéng）的勢壘具有（yǒu）整流器特性而做成的金屬-半（bàn）導體器件。因為N型（xíng）半（bàn）導體中存在著大（dà）量的電子（zǐ），貴金屬中僅有少（shǎo）量的自由電荷，所（suǒ）以電子（zǐ）便從濃度值（zhí）高的B中向（xiàng）濃度值（zhí）低（dī）的A中擴散。顯然，金屬A中（zhōng）沒有（yǒu）空穴，也就（jiù）不（bù）會有空穴（xué）自（zì）A向B的（de）擴散運（yùn）動。

　　隨著電子（zǐ）不斷從B擴散到A，B表（biǎo）麵電子（zǐ）濃度值慢慢降低（dī），表（biǎo）麵電中（zhōng）性被破壞，因（yīn）此就形成勢壘，其（qí）電場方（fāng）向（xiàng）為B→A。但在該電場（chǎng）作（zuò）用（yòng）下，A中（zhōng）的電子也會產（chǎn）生從A→B的（de）飄移運（yùn）動，進而消弱了由（yóu）於擴散運（yùn）動而（ér）形成的電場（chǎng）。當創建起一（yī）定寬度的空間電荷區（qū）後，電場（chǎng）引（yǐn）起的（de）電子（zǐ）漂移運動和濃度值（zhí）不同引起的電子擴散運（yùn）動達到相對的平衡，便形（xíng）成（chéng）了（le）肖特基（jī）勢壘。

　　典（diǎn）型的肖特基整流管的（de）內部電源電路結構（gòu）是以N型（xíng）半（bàn）導體（tǐ）為基片，在上（shàng）麵形成用（yòng）砷作（zuò）摻雜劑的N-外（wài）延層。陽極使用（yòng）鉬或（huò）鋁等材（cái）料做成阻（zǔ）檔層。用二氧化（huà）矽（SiO2）來清除邊沿區域的電場（chǎng），提高管（guǎn）子（zǐ）的（de）耐壓值（zhí）。N型（xíng）基片（piàn）具有很小（xiǎo）的通態電阻，其摻雜濃度值較H-層要高（gāo）100%倍。在基（jī）片（piàn）下邊形成N+陰極層，其（qí）作（zuò）用（yòng）是減小（xiǎo）陰極的接觸電阻（zǔ）

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