6月（yuè）13日（rì），上海證券（quàn）交易所（suǒ）受（shòu）理了（le）蘇州（zhōu）鍇威特半導體股份有限公司（sī）（簡稱：鍇威特）的科（kē）創（chuàng）板（bǎn）上市（shì）申（shēn）請。

據了解，鍇威特主要從事功率半導體的（de）設計、研發（fā）和（hé）銷售，並提供（gōng）相關技（jì）術服務（wù）。公司（sī）堅持“自主創芯，助（zhù）力核心芯片（piàn）國產化（huà）”的（de）發展定位，主（zhǔ）要產品包（bāo）含功率器件及功率IC兩大（dà）類。

在（zài）功率器件（jiàn）方麵，公（gōng）司產品（pǐn）以高（gāo）壓平（píng）麵MOSFET為主（zhǔ），並在平麵MOSFET工藝平（píng）台（tái）基（jī）礎上設計研發（fā）了（le）集成快恢複高壓功（gōng）率MOSFET（FRMOS）係列產品；在功（gōng）率IC方麵，公司專注於功率驅動IC和（hé）電源管理（lǐ）IC。此外（wài），在第三（sān）代半導體方（fāng）麵，公（gōng）司（sī）的SiC功率器件（jiàn）已小批量出貨。

通過自（zì）主創（chuàng）新（xīn）和技（jì）術沉（chén）澱，公司已（yǐ）同時具備功率器件和（hé）功（gōng）率IC的設計、研（yán）發能力（lì）。公（gōng）司（sī）掌握了功（gōng）率半導體芯片（piàn）的前端設計技術和特色晶圓製造（zào）工（gōng）藝，現已搭建多個功率半（bàn）導體細分產（chǎn）品的（de）技術平（píng）台（tái）。

憑借高性能（néng）的產（chǎn）品（pǐn），蘇州鍇威特半（bàn）導體（tǐ）在行業內形（xíng）成（chéng）了較強的（de）市（shì）場（chǎng）競爭力。結合（hé）Omdia研究數據，以（yǐ）發（fā）行（xíng）人2020年（nián）MOSFET產（chǎn）品銷售額測算，蘇州（zhōu）鍇威特半導體（tǐ）全（quán）球（qiú）MOSFET市（shì）場（chǎng）的（de）市（shì）場（chǎng）份（fèn）額約為0.23%；另根據江（jiāng）蘇省半導體（tǐ）行業協會統計，2020年蘇州鍇威特半（bàn）導體FRMOS產（chǎn）品（pǐn）的國內市場占有（yǒu）率約為6%，位列本土企業第四位（wèi）；SiC功率器件方麵，公司是國（guó）內為數不（bù）多的具（jù）備650V-1700V SiC MOSFET設計能（néng）力的企（qǐ）業（yè）之一，產（chǎn）品已覆蓋業（yè）內主流電壓段。

三年（nián）間經營業（yè）績穩步（bù）增（zēng）長

近年來，隨著消費電子、工業（yè）控製、新能（néng）源（yuán）汽車市（shì）場（chǎng）的（de）高速成長，推動鍇威特的（de）功率半導體（tǐ）業務持續發展（zhǎn）。

公（gōng）司堅持在高可靠領域芯片（piàn）國（guó）產化（huà）替代（dài）的（de）戰略方（fāng）向（xiàng），洞察市場需求導向，進行（xíng）自主（zhǔ）研（yán）發（fā）和創新，將科（kē）技成果與產業深度融（róng）合（hé）。憑借自主（zhǔ）研發（fā）的高（gāo）性能產品，鍇威特也與多（duō）家高可（kě）靠領域客戶建立了合作關係。

截至目（mù）前，鍇威特已擁有包（bāo）括平麵MOSFET、功率IC等近700款產品。憑借產品可靠性高、參數（shù）一致性好等特點，公司（sī）迅速在細分（fēn）領域打開（kāi）市場，產（chǎn）品廣泛應用於消費電子（zǐ）、工（gōng）業控（kòng）製及（jí）高可靠領域，客（kè）戶包括以（yǐ）晶豐明源（yuán）、必易（yì）微、芯朋微、燦瑞科（kē）技（jì）為代表（biǎo）的（de）芯片（piàn）設計公司及多家高（gāo）可靠領域客（kè）戶（hù），並且產（chǎn）品已被小（xiǎo）米（mǐ）、美的、雷士照（zhào）明（míng）、佛山（shān）照明等終端客戶所采用（yòng）。

具（jù）體來看，在（zài）功（gōng）率器件（jiàn）方麵，公司（sī）已（yǐ）同（tóng）時具（jù）備矽基及（jí）SiC基功率器件的（de）設計、研發（fā）能力（lì），積累了（le）多（duō）項具有（yǒu）原創（chuàng）性和先（xiān）進性的核心技術，其中（zhōng）3項達到國際先進水（shuǐ）平，1項達到國（guó）內領先水平。

其中（zhōng），在平（píng）麵MOSFET方麵，公司核心技（jì）術具體（tǐ）包括“高可靠性元（yuán）胞結構”“新（xīn）型（xíng）複合終端結構及（jí）實現（xiàn）工（gōng）藝技術”等。其中，公司（sī）利（lì）用“高（gāo）壓MOSFET的少子壽命控製及工藝實（shí）現（xiàn）技術”研發（fā）並量產的（de）FRMOS產品（pǐn）具有反向（xiàng）恢複時間短、漏電流小、高溫特性好（hǎo）、反（fǎn）向（xiàng）恢複特性較軟、低電磁幹擾的優勢特性；在（zài）第三代半（bàn）導體器件（jiàn）方麵，公司（sī）利用掌握的“短溝道碳（tàn）化（huà）矽MOSFET器件（jiàn）係列產（chǎn）品溝道控製及（jí）其製造技術”實（shí）現了（le）SiCMOSFET穩定的性能和（hé）優良（liáng）的（de）良率控製。上述核心（xīn）技（jì）術有效（xiào）提升了公（gōng）司產（chǎn）品性能指標，增（zēng）強了產品市（shì）場競爭力（lì）。

蘇州（zhōu）鍇威特半導體（tǐ）股（gǔ）份（fèn）有限公（gōng）司（sī）近（jìn）三年（nián）財（cái）務（wù）數據（jù）

在（zài）功率IC方麵，公司（sī）基（jī）於0.8um 700V BCD、0.5um 600V SOIBCD和0.18um 40V BCD工藝設計平台，完成了（le）多款功（gōng）率IC所需的IP設計與驗證，並基於已驗證的（de）IP成功開（kāi）發（fā）了（le）近（jìn）40款功（gōng）率IC產（chǎn）品（pǐn）；公（gōng）司（sī）自主（zhǔ）研（yán）發了（le）“一（yī）種全電壓範圍多（duō）基（jī）準電壓同步調整電路及高（gāo）精準過壓保護電路”“一（yī）種輸入失調電壓自動修正電路”等核心（xīn）技術，有（yǒu）效（xiào）提升了產品（pǐn）參數一（yī）致性，增（zēng）強（qiáng）了（le）產品可（kě）靠性。

憑借強有力（lì）的產（chǎn）品線，鍇威特近（jìn）三年的主營業務收入（rù）也迎來持續（xù）的（de）增長。從2019-2021年（nián），公司（sī）主（zhǔ）營業（yè）務收（shōu）入分別為10,575.54萬元（yuán）、13,383.49萬元和20,318.15萬元，2020年和2021年同比（bǐ）分（fēn）別增長26.55%和51.82%。其（qí）中，平麵MOSFET為公司（sī）實（shí）現（xiàn）大規（guī）模（mó）銷售的主要產品，該產品收入占（zhàn）主營業務收（shōu）入的（de）比（bǐ）例分別為86.71%、88.39%和（hé）83.07%。

募資（zī）約5.3億元投建三大功率半導體（tǐ）等項目

招股（gǔ）書顯示（shì），鍇威特此次IPO擬募資（zī）約5.3億元（yuán），投建智能（néng）功率半導體研發（fā）升級項目（mù）、SiC功率器件研發升（shēng）級項目（mù）、功率半（bàn）導體研發工（gōng）程中（zhōng）心（xīn）升級（jí）項目（mù），以及用於補充營運資金。

圖源（yuán）：蘇州（zhōu）鍇威特半導體股份（fèn）有（yǒu）限公（gōng）司（sī）招（zhāo）股書

其（qí）中，智（zhì）能功（gōng）率半導體研發（fā）升（shēng）級項目主要涉及（jí）公司（sī）的主營產品功率器件、功率IC、IPM、光（guāng）繼電器（Photo MOS）等係列產（chǎn）品的（de）技（jì）術升級、工（gōng）藝製程優化（huà）及（jí）部分（fēn）新品（pǐn）類的研（yán）發及規模化量產（chǎn）。其中（zhōng），功率器件主要包（bāo）括高（gāo）可靠性高壓平（píng）麵MOSFET（包括 FRMOS）、第三（sān）代超結 MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V 屏蔽柵 MOSFET 產（chǎn）品；功（gōng）率 IC 包括高壓高速柵極驅動 IC、高功（gōng）率密度電源管理IC 產品。

該項目（mù）實（shí）施旨（zhǐ）在繼續（xù）加（jiā）強公司在功率半導體（tǐ）產品（pǐn）的（de）技術積澱，保（bǎo）持在（zài）功率器件（jiàn）、功率 IC、IPM、光繼電器（Photo MOS）產品的（de）領先優勢，挖掘高（gāo）性能智（zhì）能功率半（bàn）導體的發展潛力（lì），打造全（quán）係列產品（pǐn）的（de）技術創（chuàng）新平台（tái），致力於成（chéng）為市場一流的高性能、智能化（huà）功率半（bàn）導體供應商。

而（ér）SiC功率器件（jiàn）研發（fā）升級項目（mù）主要涉及650V-1700V SiC MOSFET、650V1700V SiC SBD工（gōng）藝優化（huà）、器件（jiàn）升級（jí）及SiC功率模（mó）塊的規模化（huà）量產。

在SiC功率器件方（fāng）麵，一（yī）是SiCMOSFET、SiCSBD由4寸晶圓升級到（dào）6寸晶圓的研（yán）製；二（èr）是在SiCMOSFET基礎上（shàng）開發（fā）集成（chéng）SBD器件，開發（fā）出650V和（hé）1200V的SiCSKMOS。

在SiC功率模塊方麵，包（bāo）括SiCSKMOS功率模塊和集成功率驅動的（de）SiCSKMOSIPM智能（néng）功率模（mó）塊的研發（fā）。SiC功率器件（jiàn）及SiC功率模塊的研（yán）發、規模（mó）化量產及（jí）銷售，可以有效（xiào）豐富（fù）公司產品品類，擴大（dà）產品（pǐn）的應用（yòng）範圍，提高（gāo）公（gōng）司SiC產品的供（gōng）貨能力，從而（ér）提高（gāo）公司盈利水平。

功（gōng）率半導體研（yán）發（fā）工程中心升級（jí）項目（mù）將對功率器件（jiàn）和模塊封裝可（kě）靠性、SiC高（gāo）溫封裝、應用、基（jī）於 SiC MOSFET 製作光（guāng）繼電器（Photo MOS）以及數字電源進行（xíng）持續（xù）深入（rù）研究（jiū）。該項目基於公司（sī）現有（yǒu）技術進行了前瞻性布（bù）局，有（yǒu）利（lì）於提升（shēng）公司（sī）的技（jì）術創（chuàng）新（xīn）能力（lì），進一（yī）步豐富技術儲備。項目（mù）的實施一方（fāng）麵可以推動公（gōng）司現有（yǒu）產品的優化（huà）升級（jí），提升公司（sī）產品附加值；另（lìng）一（yī）方（fāng）麵可（kě）以推動研（yán）發（fā）成果的（de）成功（gōng）轉化（huà），有助（zhù）於豐富（fù）公司（sī）的（de）產品（pǐn）種類，開拓新的產品（pǐn）應用領域，增（zēng）強公（gōng）司（sī）的盈利（lì）能力。

此外，在（zài）器件（jiàn）可靠性考（kǎo）核與測試應用能（néng）力方麵，隨著可（kě）靠性實驗室及測試應用中心的建設，公司（sī）通過購置先（xiān）進的測試設備，有利（lì）於完備公司（sī）可（kě）靠性考（kǎo）核能（néng）力（lì），有助於提高產品（pǐn）良率，提升（shēng）出廠產（chǎn）品（pǐn）的質（zhì）量，更好（hǎo）的（de）滿足和（hé）服（fú）務於工（gōng）業級及高（gāo）可（kě）靠領域客戶對產品品質的需求，同時，也使（shǐ）得公司（sī）具（jù）備完善（shàn）的測試評價平台（tái），並能夠有效製作產品應用方案，指導客戶更（gèng）好的（de）使用公（gōng）司產品，從而有利於產品（pǐn）的市場（chǎng）推廣。

未（wèi）來，公司（sī）將繼續（xù）專注於功率半（bàn）導體的設計、研發與銷售，堅持“自主（zhǔ）創芯，助（zhù）力核心芯片國（guó）產化（huà）”的發展定位（wèi），聚焦消費電子（zǐ）、工（gōng）業控製和高可靠領域，在新能（néng）源汽車、光伏（fú）能（néng）源（yuán）、軌道交通、智能（néng）電網（wǎng）等領域展（zhǎn）開布（bù）局（jú）；在（zài）目（mù）前掌握的核心技術基礎上，展開產品（pǐn）係列化（huà）及下遊市場的進一步（bù）拓展（zhǎn）、延（yán）伸（shēn）。