第一（yī）電路設計。讓
mos管工（gōng）作在線性工作狀態，而不（bù）是開關狀態。如果用N-mos做開（kāi）關，G電平（píng）電壓要比（bǐ）電源（yuán）高（gāo）幾V才能完全導通，P-mos則相反。不（bù）完全（quán）打開導致壓降過大導致功耗，等效DC阻抗比較大，壓降增（zēng）大，所以（yǐ）U*I也增大，損耗就是發熱。
第二（èr），工（gōng）作頻率。這是調試過程中常見的現（xiàn）象，降頻主要是兩個方（fāng）麵造（zào）成的。輸入電壓與負載電壓之比（bǐ）小（xiǎo），係統幹擾大。對於前者，請注意不要將負載電壓設置得太高（gāo），盡管（guǎn）負載電壓高時效（xiào）率會（huì）更（gèng）高。對於後者，可（kě）以嚐試以（yǐ）下（xià）幾個方麵:
1.將最小（xiǎo）電流設置為較小（xiǎo）的（de）值（zhí）。
2.清潔布線，尤其是關鍵的傳感路徑。
3.選擇電感的小點或（huò）閉合磁路的（de）電感。
4.加RC低通濾波器，這個效果有（yǒu）點差，C的一（yī）致性也（yě）不好（hǎo），偏差有（yǒu）點大，不（bù）過應該夠照明了（le）。無論如何（hé），降頻沒有好（hǎo）處，隻有壞處，所（suǒ）以必須解決。
有（yǒu）時候mos管的頻率太（tài）高，主要是對體（tǐ）積的過分（fēn）追求，導致頻率增加（jiā），mos管上的損耗增（zēng）加，所（suǒ）以發熱也增加。
第三（sān），散熱設計。電路板散熱設計不好（hǎo），電流過大。mos管（guǎn）的標稱電流值（zhí）一般需要散熱好。因此，如（rú）果（guǒ）ID小於額定電流，則熱量可（kě）能嚴重，需要足夠的（de）輔助散熱器。
那（nà）麽今天（tiān）的講解就先（xiān）到這裏了，以（yǐ）上（shàng）就是今天的（de）全部內容，相信大（dà）家對mos管發熱異常的（de）原因（yīn）也有了一定的（de）認識。非常感謝您的耐心閱讀。如還想了解更多（duō）關於
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